トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D＆S

左はBottom p-wellを形成したトレンチゲート型SiC MOSFETの構造概略と今回改良したポイント。右は従来構造と開発した構造によるトレンチゲート型SiC MOSFETのオン抵抗比較［クリックで拡大］ 出所：東芝D＆S