SiCの理論限界に迫る低損失　AlN系SBDの動作実証に成功

左は試作したAlN系SDBの順方向電圧−電流特性。右は耐圧−オン抵抗のトレードオフ理論限界におけるベンチマーク［クリックで拡大］ 出所：東京大学