反強磁性体で大きなTMR効果 超高速MRAM実現の可能性 Mn3Sn/MgO/Mn3Sn磁気トンネル接合(MgO絶縁層は10層)と、予測されたTMR比[クリックで拡大] 出所:東京大学他 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan