AI/HPCシステムの死命を制する消費電力・放熱設計（後編）

パッケージ（外装）とヒートシンクの協調最適化。左は均一な放熱経路でリングとリッドの許容電力を比較したもの。右は局所的な放熱経路でリングとリッドの許容電力を比較したもの。いずれもシリコンダイ（SoC）の接合温度は最大100℃［クリックで拡大］ 出所：TSMC（IEDM 2025のショートコース（番号SC1-5）で公表された講演スライドから）