人工反強磁性体＋圧電体で「超省エネ」デバイス実現へ

左図は印加する電界に対する反強磁性層間磁気結合の強さ。右図は異なるRuスペーサー膜厚の人工反強磁性体における、圧電ひずみによる層間磁気結合の変化量［クリックで拡大］ 出所：名古屋大学他