0.2Vでデータ保持できる新型CMOSメモリ技術を開発、東京科学大 左から動作電圧0.2Vにおける6T、nST1、ST1、ST0インバーターの電圧伝達特性[クリックで拡大] 出所:東京科学大学 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan