イオンを利用するAIデバイス「物理リザバー素子」、NIMSらが開発

左はイオン型物理リザバー素子として利用するEDLTの断面図、中央はドレイン電流‐ゲート電圧特性、右はパレス電圧印加に対するドレイン電流応答［クリックで拡大］ 出所：NIMS他