「メモリの壁」突破でエッジAIを次の段階に、CEA-LetiとST幹部が語る

CEA-Letiによるメモリデバイス／アレイ統合を示す、22nm FD-SOI（完全空乏化型シリコン・オン・インシュレータ） CMOS上に実装されたFeRAMの透過型電子顕微鏡画像［クリックで拡大］ 出所：CEA-Leti