室温動作の共鳴トンネルダイオードを試作

左はNA＝1018cm-3におけるGeSn／GeSiSnのエネルギーバンド構造。中央はNA＝2×1018cm-3におけるGeSn／GeSiSnのJ-V特性シミュレーション結果。右はNDRが発現するピーク電圧位置のNA依存性［クリックで拡大］ 出所：名古屋大学