室温動作の共鳴トンネルダイオードを試作

GeSnとGeSiSnからなるDBSのエネルギーバンド構造（左上）と、結晶成長した試料の断面構造模式図（左下）。右は試作したRTDの10Kにおける電流密度−電圧（J-V）特性［クリックで拡大］ 出所：名古屋大学