二酸化ゲルマニウム半導体技術が前進、イオン注入でn型導電性

C-V特性から算出されたSbイオン注入領域におけるr-GeO2膜中のドナー不純物密度と深さ方向の依存性［クリックで拡大］ 出所：Patentix