ルネサス、Transphorm買収後初のGaN新製品を発売 AIデータセンター向け ルネサスが発表した650V耐圧のGaNパワー半導体の新製品[クリックで拡大] 出所:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 浅井涼,EE Times Japan