講演会場が静まり返った――中国が生み出した衝撃のトランジスタ構造

図16　Flip FETにより両面にCMOSが形成できることを実証［クリックで拡大］ 出所：VLSIシンポジウム2025、T10-3、Heng Wu（北京大学）、“First Experimental Demonstration of Dual-sided N/P FETs in Flip FET (FFET) on 300 mm Wafers for Stacked Transistor Technology in Sub-1nm Nodes”のスライド