講演会場が静まり返った――中国が生み出した衝撃のトランジスタ構造

図1　電界効果トランジスタ（FET: Field Effect Transistor）の発明から100年［クリックで拡大］ 出所：VLSIシンポジウム2025、Special Workshop、遠藤和彦（東北大学教授）、“Centennial Anniversary of FET Invention: Past, Present, and Future”の図に筆者加筆