最大の壁、p層を克服!酸化ガリウムでFLOSFIAが達成した「世界初」 開発中のトレンチゲート型MOSFETの断面模式図(左)と試作したトレンチゲート部分の電子顕微鏡写真(右)[クリックで拡大] 出所:FLOSFIA 記事に戻る 永山準,EE Times Japan