次世代半導体材料SnSの研究が前進、大面積の単層結晶成長に成功

左は大面積・単層SnSの光学顕微鏡像、中央は原子間力顕微鏡によるトポグラフィ像、右は中央図の白線に沿った高さプロファイル［クリックで拡大］ 出所：東北大学他