独自手法でβ型酸化ガリウムを高速成長

TMSiとTMGaの供給比8.0×10-7でSiドープしたβ-Ga2O3層と、ノンドープのβ-Ga2O3層を成長させた試料における不純物濃度の深さプロファイル［クリックで拡大］出所：東京農工大学他