次世代メモリ実用化に道筋、SOT-MRAMの書き込み電力を大幅削減 近年のSOTメモリ素子技術。中央がCanted構造SOTメモリ素子[クリックで拡大] 出所:東北大学 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan