2個の従来デバイスを1個で置き換え、Infineonの650V GaN双方向スイッチ 従来のディスクリートHEMTデバイスとの比較[クリックで拡大] 出所:Infineon Technologiesの製品説明資料から 記事に戻る 永山準,EE Times Japan