半導体デバイスの発熱を制御するメカニズムを発見 左図は基板からの圧力とSiO2薄膜の熱伝導率相関。右図は結合の強さがリング構造やその振動に与える影響を示す模式図[クリックで拡大] 出所:東北大学他 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan