半導体デバイスの発熱を制御するメカニズムを発見

上図はバルクのシリカガラスにおけるX線全散乱プロファイル。下図はシリカ膜をSiやGaAs基板上に成膜した時のアモルファスシリカの微小角入射X線全散乱プロファイル［クリックで拡大］ 出所：東北大学他