UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発

上段がNILによるパターン形成後、中段がSF6-C4F8混合ガスによるエッチング後、下段がO2プラズマアッシング後における走査電子顕微鏡画像[クリックで拡大] 出所:東京科学大学他

上段がNILによるパターン形成後、中段がSF6-C4F8混合ガスによるエッチング後、下段がO2プラズマアッシング後における走査電子顕微鏡画像[クリックで拡大] 出所:東京科学大学他