馬本隆綱,EE Times Japan UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発上段がNILによるパターン形成後、中段がSF6-C4F8混合ガスによるエッチング後、下段がO2プラズマアッシング後における走査電子顕微鏡画像[クリックで拡大] 出所:東京科学大学他 記事に戻る前の画像4 / 5次の画像Post