磁場履歴を記憶できる巨大抵抗変化メモリを実現

左は温度3Kにおいて17Vの電圧を素子に印加した状態で磁場を変化させたときの電極間の抵抗。右は3Kにおける電流−電圧特性［クリックで拡大］ 出所：東京大学