半導体応用も可能な二硫化モリブデンナノリボンを合成

上段はMoS2ナノリボンを半導体チャネルとしたトランジスタの構造と実際の電子顕微鏡像。左下は室温でのトランジスタ特性。右下は極低温（4.2K）で得られたデバイス測定の結果［クリックで拡大］ 出所：九州大学他