シリコン貫通電極ウエハー全自動研削装置を開発 金属汚染量の評価結果。左はSiとCUの同時研削直後、右は残留金属低減処理後[クリックで拡大] 出所:JST他 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan