ワイドバンドギャップ半導体向けの新たな接合材料

左はAg−Si合金粉末断面の走査透過電子顕微鏡／エネルギー分散型X線分光（STEM−EDS）像、右は明視野のSTEM像［クリックで拡大］ 出所：大阪大学