強誘電体結晶で電気抵抗スイッチング特性を実現

左はSrRuO3/Pt/ZrO2/Si基板上に形成したPZT薄膜の断面透過電子顕微鏡像。右上は電気抵抗スイッチング特性。右下は酸素欠陥の変位により発生する電界や印加する電圧および、PZTの分極による内部電界［クリックで拡大］ 出所：東京大学