東京大ら、有機半導体の電子ドーピング手法を開発

上図は開発した有機半導体のn型ドーピング手法の模式図と、用いた有機半導体やコバルトセン、さまざまな分子性カチオンの分子構造。下図は大気下20℃、湿度80％という環境下で行ったドーピングによる光吸収の変化量および、dMesIM+を導入した薄膜におけるX線散乱像［クリックで拡大］ 出所：東京大学他