電極界面の接触抵抗を約3桁も低減したIGZO-TFT

作製したIGZO-TFTの特性評価。左上は全抵抗のうち接触抵抗の寄与率。左下と右下はボトムコンタクト、トップコンタクト構造における水素処理前後のTFT特性。右上はTFTの電圧、温度に対する閾値電圧の安定性［クリックで拡大］ 出所：東京工業大学