ルチル型酸化物半導体でデバイス動作を確認

r-TiO2（001）基板上に格子整合させたr-Ge0.49Sn0.51O2薄膜を用いて作製したSBDの電流密度−電圧特性［クリックで拡大］ 出所：立命館大学他