熱電材料の発電能力を大幅向上、AlGaAs／GaAs界面の2DEGを用い 大阪大ら

左上図は複数サブバンドを有する三角井戸2DEG、左下図は単一サブバンド2DEG、右図は電子閉じ込め幅で評価した熱電出力因子の従来理論に対する増大率比［クリックで拡大］ 出所：大阪大学、NIMS