4Gから5Gミリ波の移動体通信向けフロントエンドパッケージ(前編)

5Gミリ波帯の移動体通信端末向けFEMの断面図。低誘電率かつ低誘電正接、低吸水率の多層基板を採用した。基板の両面に高周波ICとフィルターを搭載してある。受動素子(キャパシターとインダクター)は配線と誘電体を利用して多層基板に作り込んでいる。外部端子はBGAタイプである[クリックで拡大] 出所:JEITA Jisso技術ロードマップ専門委員会(2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド)

5Gミリ波帯の移動体通信端末向けFEMの断面図。低誘電率かつ低誘電正接、低吸水率の多層基板を採用した。基板の両面に高周波ICとフィルターを搭載してある。受動素子(キャパシターとインダクター)は配線と誘電体を利用して多層基板に作り込んでいる。外部端子はBGAタイプである[クリックで拡大] 出所:JEITA Jisso技術ロードマップ専門委員会(2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド)