磁気抵抗メモリの高性能化に向けた新原理を発見

左上図（a）はTaSi2が持つカイラル構造、右上図（b）はスピン軌道相互作用を考慮して、第一原理計算で得られたバンド図、左下図（c）はスパッタリング法で製膜したスタックの構造図、右下図（d）はスピンホール伝導率の温度依存性［クリックで拡大］ 出所：東京工業大学