車載パワーデバイスの出力密度向上手法

主な半導体材料の物理的性質と電気的性質。バンドギャップがSiよりも広い材料は、絶縁破壊電界強度が大幅に高い［クリックで拡大］ 出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）