多ピン小型パッケージ「FO-WLP」の信頼性問題とその対策

「FO-WLP」で生じた信頼性問題とその対策。左（a）は初期のFO-WLPにおけるシリコンダイとモード樹脂の境界付近の断面構造図。シリコンダイとモールド樹脂の境界では、温度変化によって機械的な応力が発生する（図中の黄色い円）。この機械的な応力がRDL領域を伸縮させ、場合によってはクラックに至る。右（b）は対策を施した構造の断面図。シリコンダイ表面に銅（Cu）バンプを形成しておくことで、RDL領域をシリコンダイから離す。応力が発生してもRDL領域には影響しない［クリックで拡大］ 出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）