縦型GaNパワー半導体のブレークスルーに、新技術の詳細と展望

QST基板の特長その2。バッファー層を簡略化でき、「シリコン基板を用いた場合の半分の成長時間で、GaN層の厚さは約2倍に」［クリックで拡大］ 出所：OKI／信越化学工業