SiC量子センサー、120℃までの温度計測に成功

上図はSiCダイオード中に形成した量子センサーのイメージ。左下はSiCダイオード中へ2次元的に形成したVSiアレイ。右下はSiCダイオードに電流を流し、SiC-VSiで測定した内部の温度［クリックで拡大］ 出所：QST