SiC量子センサー、120℃までの温度計測に成功 上図はSiCダイオード中に形成した量子センサーのイメージ。左下はSiCダイオード中へ2次元的に形成したVSiアレイ。右下はSiCダイオードに電流を流し、SiC-VSiで測定した内部の温度[クリックで拡大] 出所:QST 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan