東工大、面内分極を用いた不揮発性メモリ開発 ボトムコンタクト型α-In2Se3メモリの電流−電圧特性とデータ保持時間特性[クリックで拡大] 出所:東京工業大学 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan