「性能を最大限引き出す」、ローム初のGaN SiP詳細

左＝入力電圧264Vac、出力電力100Wのフライバック電源回路を構成した場合、競合品と比較し約20％減、Si MOSFETの場合との比較では約55％減の低スイッチング損失を実現／右＝外付けパワーステージに関連部品は1点のみに［クリックで拡大］ 出所：ローム