東京大、酸化物素子で磁気抵抗比を10倍以上に

左（a）は今回作製した2端子素子の構造、中央（b）は従来の一般的な半導体と強磁性金属を組み合わせた素子構造の例、右（c）はLa0.67Sr0.33MnO3薄膜の断面走査透過型電子顕微鏡による格子像［クリックで拡大］ 出所：東京大学