同一面内で接合した構造のTMDC多層結晶を作製

上左図（a）は多層WSe2および化学気相成長によりWSe2結晶の端から多層のMoS2結晶を成長させた構造のモデル図。上右図（b）は多層WSe2/MoS2接合近傍における断面の走査透過電子顕微鏡像。下図の（c）と（d）は多層NbxMo1-xS2/MoS2接合における作製したFETの模式図と、電子が取りうる可能性があるエネルギー（伝導帯端と価電子帯端）の相対関係図。（e）は異なるゲート電圧を印加したときの多層NbxMo1-xS2／MoS2接合の電流・電圧特性［クリックで拡大］ 出所：東京都立大学他