SiCウエハー欠陥無害化技術の新会社が始動 左=従来の量産SiCウェハー製造における課題/右=市場に流通するSiCウェハーにおける品質バラツキ。バルク品質(窒素ドープ分布)や内部の結晶欠陥(BPD)および、残留加工ひずみの例[クリックで拡大] 出所:QureDA Research 記事に戻る 永山準,EE Times Japan