SiCウエハー欠陥無害化技術の新会社が始動

左＝グローバルのSiCエピウエハーおよびSiCデバイスの市場予測／中央と右＝SiCウエハーにおける課題認識について。デバイス原価のうち、SiCウエハー価格がおよそ半分を占めるが、デバイスの不良要因におけるウエハー起因による製造不良は深刻［クリックで拡大］ 出所：QureDA Research