FLOSFIA、アンペア級で耐圧1700VのGaO SBDを開発 他の半導体材料とα-Ga2O3の位置付けおよび、バンドギャップと絶縁破壊電界の特性[クリックで拡大] 出所:FLOSFIA 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan