多値記憶（マルチレベル）時代の始まり（1997年〜2001年）（後編）

東芝とサンディスクが2001年11月に発表した世界初の多値記憶方式NANDフラッシュメモリ製品の主な仕様（Webサイトの画面を抜粋したもの）。なお表中右側の2Gビット品（TH58020FT）は、1Gビットのシリコンダイを積層して同じパッケージに封止した製品である［クリックで拡大］