ルチル型GeO2系で混晶半導体を開発、有用性も実証 GeO2-SnO2-SiO2のバンドギャップおよび格子定数の関係[クリックで拡大] 出所:京都大学などの研究チーム 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan