東京大ら、ひずみで反強磁性体の磁気状態を制御

左はひずみ下での異常ホール効果の測定構成の概要図、右はさまざまなひずみεxx下でのMn3Snのホール抵抗率の磁場依存性（クリックで拡大） 出所：東京大学他