フラッシュメモリ、NOR型に続いてNAND型が表舞台に（1980年代後半）

東芝が1984年12月に国際学会IEDMで発表したフラッシュメモリのセル構造。上はレイアウト。中央は制御ゲートに沿った方向の断面構造、下はビット線に沿った方向の断面構造。IEDMの論文集から（論文番号17.3）［クリックで拡大］