安価な製造法で高品質なAlGaNーHEMTの試作に成功 試作したAlN/AlGaNヘテロ接合高電子移動度トランジスタ(HEMT)の概要[クリックで拡大] 出所:東京大学生産技術研究所 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan