Samsung、GAAを適用した3nmプロセスの生産を開始

トランジスタ構造の進化。プレーナ型FETからFinFET、ナノワイヤを使うGAA FET、ナノシートを使うGAA FETと進化するにつれて、性能と電力効率が向上することを示している［クリックで拡大］ 出所：Samsung Electronics